STB19NB20 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	D2PAK
描述:	N - 沟道增强型的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH] MOSFET
PDF文件:	STB19NB20 数据手册 (8 页)原理图在1 页
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

STB19NB20 数据手册 (8 页)

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STB19NB20 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
封装	D2PAK
极性	N-CH
漏源极电压(Vds)	200 V
连续漏极电流(Ids)	19A

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STB19NB20 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Unknown
包装方式	Tube

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STB19NB20 符合标准

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