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STB200N6F3 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
MOS管
封装:
TO-263-3
PDF文件:
STB200N6F3 数据手册 (16 页)
封装尺寸
在
10 页
11 页
12 页
13 页
Pictures:
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符号图
焊盘图
引脚图
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STB200N6F3 数据手册
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STB200N6F3 数据手册 (16 页)
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STB200N6F3 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-263-3
极性
N-CH
功耗
330W (Tc)
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
120A
输入电容值(Ciss)
6800pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
330W (Tc)
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STB200N6F3 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
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包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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STB200N6F3 符合标准
STB200N6F3 数据手册
STB200N6F3
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