类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
封装 | I2PAK |
极性 | N-CH |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
连续漏极电流(Ids) | 20A |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube, Rail |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 仅为0.25mΩ - 20A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK的MDmesh功率MOSFET ? N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STB20NM60D系列 N沟道 600 V 0.26 Ohm FDmesh™ 功率MOSFET - D2PAK-3
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 仅为0.25mΩ - 20A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK的MDmesh功率MOSFET ? N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 0.25ヘ - 20A - TO- 247 - TO- 220 / FP - D2 / I2PAK MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.25ヘ - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAK MDmesh⑩ Power MOSFET
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N沟道650V @ TJMAX - 0.25欧姆 - 20A IPAK / TO- 220 / TO- 220FP N-CHANNEL 650V@Tjmax - 0.25 Ohm - 20A IPAK/TO-220/TO-220FP
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