STB21N90K5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-263-3
描述:	N沟道900 V， 0.25 I© （典型值）， 18.5齐纳保护SuperMESHâ ??在D2PAK ， TO- 220FP ， TO- 220和TO- 247封装¢ 5功率MOSFET N-channel 900 V, 0.25 Î© typ., 18.5 A Zener-protected SuperMESHâ¢ 5 Power MOSFET in a D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages
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STB21N90K5 数据手册 (22 页)

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STB21N90K5 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
封装	TO-263-3
极性	N-CH
功耗	250 W
输入电容	1645 pF
漏源极电压(Vds)	900 V
连续漏极电流(Ids)	18.5A
上升时间	27 ns
输入电容值(Ciss)	1645pF @100V(Vds)
额定功率(Max)	250 W
下降时间	40 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	250W (Tc)

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STB21N90K5 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STB21N90K5 符合标准

STB21N90K5 海关信息

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STB21N90K5 数据手册

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N沟道900 V， 0.25 I© （典型值）， 18.5齐纳保护SuperMESHâ ??在D2PAK ， TO- 220FP ， TO- 220和TO- 247封装¢ 5功率MOSFET N-channel 900 V, 0.25 Î© typ., 18.5 A Zener-protected SuperMESHâ¢ 5 Power MOSFET in a D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages

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