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STB21NK50Z
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STB21NK50Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:STMICROELECTRONICS  STB21NK50Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 3.75 V
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STB21NK50Z 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.23 Ω
极性N-Channel
功耗190 W
阈值电压3.75 V
漏源极电压(Vds)500 V
上升时间20 ns
输入电容值(Ciss)2600pF @25V(Vds)
额定功率(Max)190 W
下降时间15 ns
工作温度(Max)150 ℃
耗散功率(Max)190W (Tc)
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STB21NK50Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度10.4 mm
宽度9.35 mm
高度4.6 mm
工作温度150℃ (TJ)
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STB21NK50Z 数据手册

STB21NK50Z 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
1 页 / 0.15 MByte
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ST Microelectronics（意法半导体）
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STB21NK50Z 产品封装文件
ST Microelectronics（意法半导体）
15 页 / 0.79 MByte
STB21NK50Z 产品修订记录
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STB21NK50 数据手册

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