| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 17.0 A |
| 封装 | TO-262-3 |
| 漏源极电阻 | 220 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 140W (Tc) |
| 输入电容 | 1.95 nF |
| 栅电荷 | 66.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 10.0 A, 17.0 A |
| 输入电容值(Ciss) | 1900pF @50V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 140 W |
| 耗散功率(Max) | 140W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
18 页 / 0.55 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB21NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600V - 0.19欧姆 - 17 A TO - 220 / FP / D2 / I2PAK / TO- 247第二代的MDmesh MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600V - 0.19欧姆 - 17 A TO - 220 / FP / D2 / I2PAK / TO- 247第二代的MDmesh MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600 V - 0.17 Ω - 17 A TO - 220 - TO- 220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.17 Ω - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600 V ， 0.17ヘ， 17的FDmesh⑩ II功率MOSFET采用D2PAK ， I2PAK ， TO- 220FP ， TO- 220 ， TO- 247 N-channel 600 V, 0.17 Ω, 17 A FDmesh™ II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
