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STB23N80K5
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STB23N80K5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:N沟道 800V 16A
PDF文件:STB23N80K5 数据手册 (16 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
STB23N80K5 数据手册 (16 页)
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STB23N80K5 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
通道数1 Channel
漏源极电阻280 mΩ
极性N-CH
功耗190 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)800 V
漏源击穿电压800 V
连续漏极电流(Ids)16A
上升时间9 ns
输入电容值(Ciss)1000pF @100V(Vds)
下降时间9 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)190W (Tc)
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STB23N80K5 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STB23N80K5 数据手册

STB23N80K5 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
16 页 / 0.71 MByte
STB23N80K5 产品封装文件
ST Microelectronics（意法半导体）
15 页 / 0.87 MByte

STB23N80 数据手册

STB23N80K5 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道 800V 16A
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