类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-263-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.168 Ω |
极性 | N-CH |
功耗 | 150 W |
阈值电压 | 3 V |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
连续漏极电流(Ids) | 18A |
上升时间 | 9 ns |
输入电容值(Ciss) | 1060pF @100V(Vds) |
额定功率(Max) | 150 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 150W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 10.4 mm |
宽度 | 9.35 mm |
高度 | 4.6 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics
●STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。
●### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
场效应管(MOSFET) STB24N60DM2 D2PAK
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 600 V, 0.19 ohm, 10 V
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