STB25NM50N-1 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-262-3
描述:	N沟道500V - 0.11Ω - 22A - TO- 220 / FP- I2 / D2PAK - TO- 247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 500V - 0.11Ω - 22A - TO-220 /FP- I2/D2PAK - TO-247 Second generation MDmesh™ Power MOSFET
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STB25NM50N-1 数据手册 (18 页)

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STB25NM50N-1 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
额定电压(DC)	500 V
额定电流	22.0 A
封装	TO-262-3
漏源极电阻	140 mΩ
极性	N-Channel
功耗	160W (Tc)
输入电容	2.57 nF
栅电荷	84.0 nC
漏源极电压(Vds)	500 V
漏源击穿电压	500 V
连续漏极电流(Ids)	14.0 A, 22.0 A
输入电容值(Ciss)	2565pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	160 W
耗散功率(Max)	160W (Tc)

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STB25NM50N-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Obsolete
包装方式	Tube
工作温度	150℃ (TJ)

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N沟道500V - 0.11Ω - 22A - TO- 220 / FP- I2 / D2PAK - TO- 247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 500V - 0.11Ω - 22A - TO-220 /FP- I2/D2PAK - TO-247 Second generation MDmesh™ Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS STB25NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 500 V, 0.11 ohm, 30 V, 3 V

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