| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 20.0 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 漏源极电阻 | 140 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 160W (Tc) |
| 输入电容 | 2.54 nF |
| 栅电荷 | 84.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 栅源击穿电压 | ±25.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 21.0 A |
| 上升时间 | 18 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2400pF @50V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 160 W |
| 下降时间 | 24 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 160W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600 V ， 0.130 Ω ， 21 A，的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， I2PAK ， D2PAK ， TO- 247 N-channel 600 V, 0.130 Ω , 21 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600V - 0.140ヘ - 20A - TO- 220 / FP- I2 / D2PAK - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.140ヘ - 20A - TO-220 /FP- I2/D2PAK - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600 V ， 0.130 Ω ， 21 A，的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， I2PAK ， D2PAK ， TO- 247 N-channel 600 V, 0.130 Ω , 21 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247
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