类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-263-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.13 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 160 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
连续漏极电流(Ids) | 21A |
上升时间 | 30 ns |
输入电容值(Ciss) | 2400pF @50V(Vds) |
额定功率(Max) | 160 W |
下降时间 | 40 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 160W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 10.75 mm |
宽度 | 10.4 mm |
高度 | 4.6 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600 V , 0.130 Ω , 21 A,的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 , TO- 220FP , I2PAK , D2PAK , TO- 247 N-channel 600 V, 0.130 Ω , 21 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 0.140ヘ - 20A - TO- 220 / FP- I2 / D2PAK - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.140ヘ - 20A - TO-220 /FP- I2/D2PAK - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600 V , 0.130 Ω , 21 A,的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 , TO- 220FP , I2PAK , D2PAK , TO- 247 N-channel 600 V, 0.130 Ω , 21 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247
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