| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.135 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 150 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 500 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 21A |
| 上升时间 | 19 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1735pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 90 W |
| 下降时间 | 52 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 150W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
STB28NM50N 是一款MDmesh™II N沟道功率MOSFET, 采用第二代MDmesh™技术。该器件具有竖直结构, 低导通电阻和栅极电荷。适用于要求苛刻的高效转换器应用。
● 100％经过雪崩测试
● 低输入电容和栅极电荷
● 低栅极输入电阻
ST Microelectronics（意法半导体）
21 页 / 0.93 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
3 页 / 0.31 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
10 页 / 0.75 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB28NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
