STB30NM60ND 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-263-3
描述:	N沟道600V - 0.11ヘ - 25A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩ II功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ II Power MOSFET (with fast diode)
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STB30NM60ND 数据手册 (18 页)

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STB30NM60ND 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
封装	TO-263-3
通道数	1 Channel
漏源极电阻	130 mΩ
极性	N-Channel
功耗	190 W
漏源极电压(Vds)	600 V
漏源击穿电压	600 V
连续漏极电流(Ids)	12.5 A
上升时间	50 ns
输入电容值(Ciss)	2800pF @50V(Vds)
额定功率(Max)	190 W
下降时间	75 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	55 ℃
耗散功率(Max)	190W (Tc)

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STB30NM60ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Obsolete
包装方式	Tape & Reel (TR)
工作温度	150℃ (TJ)

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STB30NM60ND 符合标准

STB30NM60ND 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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STB30NM60ND 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道600V - 0.11ヘ - 25A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩ II功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ II Power MOSFET (with fast diode)

STB30NM60N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道600 V ， 0.1 Ω ， 25 A ，的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， TO- 247 ， D2PAK ， I2PAK N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh? II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAK

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