| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.11 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 190 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 25A |
| 输入电容值(Ciss) | 1870pF @100V(Vds) |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 190W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 9.35 mm |
| 高度 | 4.6 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh DM2 系列，STMicroelectronics
●MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDS(on) 和改进的二极管反向恢复时间，可提高效率，此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。
●高 dV/dt 能力，可提高系统可靠性
●符合 AEC-Q101
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N 沟道 600 V 26 A 0.125 Ohm MDmesh II Plus Mosfet - D2PAK
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB33N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V 新
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