| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 漏源极电阻 | 0.085 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 160 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 27A |
| 上升时间 | 12 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3750pF @100V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 160 W |
| 下降时间 | 16 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 160W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 10.75 mm |
| 宽度 | 10.4 mm |
| 高度 | 4.6 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics
●MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
ST Microelectronics（意法半导体）
22 页 / 1.24 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
10 页 / 0.75 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
STB35N 系列 N 沟道 710 V 27 A 98 mOhm 160 W 功率 Mosfet - D2PAK
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
