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STB36N60M6

来自 AiPCBA

STB36N60M6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
封装:	TO-263
描述:	晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

STB36N60M6 数据手册

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STB36N60M6 技术参数、封装参数

类型	描述
引脚数	3 Pin
封装	TO-263
针脚数	3 Position
漏源极电阻	0.085 Ω
极性	N-CH
功耗	208 W
阈值电压	4 V
漏源极电压(Vds)	600 V
连续漏极电流(Ids)	29A
上升时间	5.3 ns
输入电容值(Ciss)	1960pF @100V(Vds)
下降时间	7.3 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	208000 mW

STB36N60M6 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Unknown
包装方式	Tape & Reel (TR)

STB36N60M6 符合标准

STB36N60M6 海关信息

STB36N60M6 概述

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