STB38N65M5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-263-3
描述:	N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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STB38N65M5 数据手册 (22 页)

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STB38N65M5 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
封装	TO-263-3
针脚数	3 Position
漏源极电阻	95 mΩ
功耗	190 W
阈值电压	4 V
漏源极电压(Vds)	650 V
漏源击穿电压	650 V
上升时间	9 ns
输入电容值(Ciss)	3000pF @100V(Vds)
额定功率(Max)	190 W
下降时间	9 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	190W (Tc)

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STB38N65M5 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	10.4 mm
宽度	9.35 mm
高度	4.6 mm
工作温度	150℃ (TJ)

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STB38N65M5 符合标准

STB38N65M5 概述

STB38N65M5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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STB38N65M5 产品封装文件

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STB38N65 数据手册

STB38N65M5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

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