| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 50.0 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.028 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 150 W |
| 阈值电压 | 2.8 V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 50.0 A |
| 上升时间 | 63 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1780pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 150 W |
| 下降时间 | 28 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 150W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 9.35 mm |
| 高度 | 4.6 mm |
| 工作温度 | -50℃ ~ 175℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB40NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 28 mohm, 10 V, 2.8 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB40NF10LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.7 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道100V - 0.028ohm - 40A D2PAK低栅电荷STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.028ohm - 40A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道100V - 0.024ohm - 50A TO- 220 / D2PAK / I2PAK低栅电荷STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.024ohm - 50A TO-220/D2PAK/I2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
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