| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 40.0 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.045 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 160 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 输入电容 | 2.50 nF |
| 栅电荷 | 75.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 25.0 A, 40.0 A |
| 上升时间 | 44 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2500pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 160 W |
| 下降时间 | 22 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 160W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 9.35 mm |
| 高度 | 4.6 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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STMICROELECTRONICS STB40NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 28 mohm, 10 V, 2.8 V
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STMICROELECTRONICS STB40NF10LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.7 V
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STMICROELECTRONICS STB40NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 3 V
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N沟道200V - 0.038欧姆 - 40A TO- 220 / TO- 247 / D2PAK低栅电荷的STripFET MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道100V - 0.028ohm - 40A D2PAK低栅电荷STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.028ohm - 40A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
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N 通道 STripFET™，STMicroelectronics
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N沟道150V - 0.045Î © - 40A - D2PAK MESH OVERLAYâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 150V - 0.045Ω - 40A - D2PAK MESH OVERLAY⢠Power MOSFET
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