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STB47N60DM6AG

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STB47N60DM6AG 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
封装:	TO-263
描述:	晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 600 V, 0.07 ohm, 10 V, 4 V
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

STB47N60DM6AG 数据手册

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STB47N60DM6AG 技术参数、封装参数

类型	描述
封装	TO-263
针脚数	3 Position
漏源极电阻	0.07 Ω
功耗	250 W
阈值电压	4 V
漏源极电压(Vds)	600 V
上升时间	5.5 ns
输入电容值(Ciss)	2350pF @100V(Vds)
下降时间	9 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	250000 mW

STB47N60DM6AG 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
包装方式	Tape & Reel (TR)

STB47N60DM6AG 符合标准

STB47N60DM6AG 概述

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