STB4NK60Z-1 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-262-3
描述:	N沟道600 V - 1.76ヘ - 4 A SuperMESH⑩功率MOSFET采用DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO- 220 - TO- 220FP N-channel 600 V - 1.76 ヘ - 4 A SuperMESH⑩ Power MOSFET DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO-220 - TO-220FP
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STB4NK60Z-1 数据手册 (20 页)

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STB4NK60Z-1 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-262-3
通道数	1 Channel
极性	N-CH
功耗	70 W
漏源极电压(Vds)	600 V
连续漏极电流(Ids)	4A
上升时间	9.5 ns
输入电容值(Ciss)	510pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	70 W
下降时间	16.5 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	70W (Tc)

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STB4NK60Z-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
长度	10 mm
宽度	4.4 mm
高度	8.95 mm
工作温度	150℃ (TJ)

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N沟道600 V - 1.76ヘ - 4 A SuperMESH⑩功率MOSFET采用DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO- 220 - TO- 220FP N-channel 600 V - 1.76 ヘ - 4 A SuperMESH⑩ Power MOSFET DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO-220 - TO-220FP

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