STB50N25M5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-263-3
描述:	N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
PDF文件:	STB50N25M5 数据手册 (13 页)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

STB50N25M5 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
封装	TO-263-3
漏源极电阻	0.055 Ω
极性	N-Channel
功耗	110 W
阈值电压	4 V
漏源极电压(Vds)	250 V
连续漏极电流(Ids)	14.0 A
上升时间	44 ns
输入电容值(Ciss)	1700pF @50V(Vds)
额定功率(Max)	110 W
下降时间	20 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	110W (Tc)

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STB50N25M5 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Not Recommended for New Designs
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	10.75 mm
宽度	10.4 mm
高度	4.6 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STB50N25M5 符合标准

STB50N25M5 概述

STB50N25M5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.82 MByte

STB50N25M5 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.88 MByte

STB50N25 数据手册

STB50N25M5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

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