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STB50NE08
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STB50NE08 技术参数、封装参数

STB50NE08 外形尺寸、物理参数、其它

STB50NE08 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
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STB50 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STB50NF25  晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 250 V, 55 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFET⑩功率MOSFET N-channel 100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFET⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 100V - 0.02ohm - 50A - D2PAK的STripFET ] POWER MOSFET N - CHANNEL 100V - 0.02ohm - 50A - D2PAK STripFET] POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFET⑩功率MOSFET N-channel 100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFET⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N - 沟道增强型“单一特征尺寸” POWER MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE SIZE ” POWER MOSFET
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