| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | D2PAK |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 80 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 50A |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB50NF25 晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 250 V, 55 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFET⑩功率MOSFET N-channel 100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFET⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N - CHANNEL 100V - 0.02ohm - 50A - D2PAK的STripFET ] POWER MOSFET N - CHANNEL 100V - 0.02ohm - 50A - D2PAK STripFET] POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFET⑩功率MOSFET N-channel 100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFET⑩ Power MOSFET
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N - 沟道增强型“单一特征尺寸” POWER MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE SIZE ” POWER MOSFET
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