类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 60.0 V |
额定电流 | 55.0 A |
封装 | TO-263-3 |
额定功率 | 95 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.014 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 95 W |
阈值电压 | 1.7 V |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
漏源击穿电压 | 60.0 V |
栅源击穿电压 | ±16.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 220 A |
上升时间 | 100 ns |
输入电容值(Ciss) | 1700pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 95 W |
下降时间 | 20 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 95W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 10.75 mm |
宽度 | 10.4 mm |
高度 | 4.6 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STB55NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 30 V, 0.014 ohm, 16 V, 1.7 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.014ohm - 55A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK STripFET⑩II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 55A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK STripFET⑩II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.015ヘ - 50A - D2PAK / I2PAK / TO- 220 / TO- 220FP STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.015ヘ - 50A - D2PAK/I2PAK/TO-220/TO-220FP STripFET⑩ II Power MOSFET
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