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STB60NE06L-16T4
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STB60NE06L-16T4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
PDF文件:STB60NE06L-16T4 数据手册 (13 页)封装尺寸在9 页10 页
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焊盘图
引脚图
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STB60NE06L-16T4 数据手册 (13 页)
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STB60NE06L-16T4 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)60.0 V
额定电流60.0 A
封装TO-263-3
漏源极电阻12.0 mΩ
极性N-Channel
功耗150W (Tc)
漏源极电压(Vds)60 V
漏源击穿电压60.0 V
栅源击穿电压±15.0 V
连续漏极电流(Ids)60.0 A
输入电容值(Ciss)4150pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)150W (Tc)
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STB60NE06L-16T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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STB60NE06L-16T4 数据手册

STB60NE06L-16T4 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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