STB60NF06LT4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-263-3
描述:	STMICROELECTRONICS STB60NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 5 V, 1 V
PDF文件:	STB60NF06LT4 数据手册 (16 页)封装尺寸在10 页 11 页 12 页 13 页
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STB60NF06LT4 数据手册 (16 页)

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STB60NF06LT4 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
额定电压(DC)	60.0 V
额定电流	60.0 A
封装	TO-263-3
通道数	1 Channel
针脚数	3 Position
漏源极电阻	0.016 Ω
极性	N-Channel
功耗	110 W
阈值电压	1 V
漏源极电压(Vds)	60 V
漏源击穿电压	60 V
栅源击穿电压	±15.0 V
连续漏极电流(Ids)	60.0 A
上升时间	220 ns
输入电容值(Ciss)	2000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	110 W
下降时间	30 ns
工作温度(Max)	175 ℃
工作温度(Min)	-65 ℃
耗散功率(Max)	110W (Tc)

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STB60NF06LT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	10.4 mm
宽度	9.35 mm
高度	4.6 mm
工作温度	-65℃ ~ 175℃ (TJ)

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STB60NF06LT4 符合标准

STB60NF06LT4 海关信息

STB60NF06LT4 概述

STB60NF06LT4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.49 MByte

STB60NF06LT4 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.8 MByte

STB60NF06LT4 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

10 页 / 0.75 MByte

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