| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 6.00 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 1 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 110 W |
| 阈值电压 | 3.75 V |
| 输入电容 | 905 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 6.00 A |
| 上升时间 | 14 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 905pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 110 W |
| 下降时间 | 19 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 110W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.75 mm |
| 宽度 | 10.4 mm |
| 高度 | 4.6 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB6NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600 V - 1ヘ - 6 A - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 1 ヘ - 6 A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600 V - 1ヘ - 6 A - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 1 ヘ - 6 A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
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