| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 75.0 V |
| 额定电流 | 75.0 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.009 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 300 W |
| 阈值电压 | 2.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 75 V |
| 漏源击穿电压 | 75.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±15.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 75.0 A |
| 上升时间 | 155 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 4300pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 W |
| 下降时间 | 60 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 9.35 mm |
| 高度 | 4.6 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道75V - 0.0095欧姆 - 80A TO- 220 / TO- 220FP / DPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 75V - 0.0095 ohm - 80A TO-220/TO-220FP/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道75V - 0.0095ヘ - 80A - TO- 220 - TO- 220FP - D2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 75V - 0.0095ヘ - 80A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB75NF75LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 37.5 A, 75 V, 0.009 ohm, 15 V, 2.5 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道75V - 0.009欧姆 - 75A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 75V - 0.009 ohm - 75A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道75V - 0.009欧姆 - 75A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 75V - 0.009 ohm - 75A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道75V - 0.009ヘ - 75A - D2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 75V - 0.009ヘ - 75A - D2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET
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