STB7NK80Z-1 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-262-3
描述:	N沟道800V - 1.5ヘ - 5.2A - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 800V - 1.5ヘ - 5.2A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
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STB7NK80Z-1 数据手册 (17 页)

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STB7NK80Z-1 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-262-3
极性	N-CH
功耗	125 W
漏源极电压(Vds)	800 V
连续漏极电流(Ids)	5.2A
上升时间	12 ns
输入电容值(Ciss)	1138pF @25V(Vds)
下降时间	20 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	125W (Tc)

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STB7NK80Z-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STB7NK80Z-1 符合标准

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N沟道800 V ， 1.5 Ω ， 5.2 A， TO- 220 ， TO- 220FP ， D2PAK ， I2PAK齐纳保护超网？功率MOSFET N-channel 800 V, 1.5 Ω, 5.2 A, TO-220,TO-220FP,D2PAK,I2PAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

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