| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 800 V |
| 额定电流 | 5.20 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 1.5 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 125 W |
| 阈值电压 | 3.75 V |
| 漏源极电压(Vds) | 800 V |
| 漏源击穿电压 | 800 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.20 A |
| 上升时间 | 12 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1138pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 125 W |
| 下降时间 | 20 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 125W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.75 mm |
| 宽度 | 9.35 mm |
| 高度 | 4.6 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB7NK80ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道800V - 1.5ヘ - 5.2A - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 800V - 1.5ヘ - 5.2A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道800 V ， 1.5 Ω ， 5.2 A， TO- 220 ， TO- 220FP ， D2PAK ， I2PAK齐纳保护超网？功率MOSFET N-channel 800 V, 1.5 Ω, 5.2 A, TO-220,TO-220FP,D2PAK,I2PAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
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