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STB80NF03L-04-1
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STB80NF03L-04-1 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-262-3
描述:N沟道30V - 0.0035 W¯¯ - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220的STripFET ™II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035 W - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET™ II POWER MOSFET
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STB80NF03L-04-1 数据手册 (12 页)
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STB80NF03L-04-1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-262-3
功耗300W (Tc)
漏源极电压(Vds)30 V
上升时间270 ns
输入电容值(Ciss)5500pF @25V(Vds)
额定功率(Max)300 W
下降时间95 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-60 ℃
耗散功率(Max)300W (Tc)
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STB80NF03L-04-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
工作温度-60℃ ~ 175℃ (TJ)
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STB80NF03L-04-1 数据手册

STB80NF03L-04-1 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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