STB80NF10T4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-263-3
描述:	STMICROELECTRONICS STB80NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:	STB80NF10T4 数据手册 (14 页)封装尺寸在9 页 10 页 11 页
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

STB80NF10T4 数据手册 (14 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STB80NF10T4 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
额定电压(DC)	100 V
额定电流	80.0 A
封装	TO-263-3
针脚数	3 Position
漏源极电阻	12 mΩ
极性	N-Channel
功耗	300 W
阈值电压	3 V
漏源极电压(Vds)	100 V
漏源击穿电压	100 V
栅源击穿电压	±20.0 V
连续漏极电流(Ids)	80.0 A
上升时间	80 ns
输入电容值(Ciss)	5500pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	300 W
下降时间	60 ns
工作温度(Max)	175 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	300W (Tc)

查看数据手册 >

STB80NF10T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	10.4 mm
宽度	9.35 mm
高度	4.6 mm
工作温度	-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

STB80NF10T4 符合标准

STB80NF10T4 概述

STB80NF10T4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.56 MByte

STB80NF10T4 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.55 MByte

STB80NF10T4 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

10 页 / 0.75 MByte

STB80NF10T4 其他参考文件

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.12 MByte

STB80NF10 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道100V - 0.012OHM - 80A - TO- 220 / D2PAK低栅极电荷的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 100V - 0.012OHM - 80A - TO-220 / D2PAK Low gate charge STRIPFET TM II Power MOSFET

STB80NF10T4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STB80NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V

器件 Datasheet 文档搜索

数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号