| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | D2PAK |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 80A |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 9.35 mm |
| 高度 | 4.6 mm |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB80NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
200V,0.019Ω,65A,N沟道功率MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB80NF55-08T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 16 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB80NF55-06T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道55V - 0.005 ？ - 80A - TO- 220 / FP - I2PAK - D2PAK的STripFET ？二功率MOSFET N-channel 55V - 0.005Ω - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET™ II Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道55V - 0.0065欧姆 - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 0.0065 ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
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