| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 1.50 kV |
| 额定电流 | 3 A |
| 封装 | TO-247-4 |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 额定电压 | 1500 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
晶体管 - NPN - 发射极切换式双极 1500V（1.5kV） 3A 通孔 TO-247-4L
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STC03DE170HV 系列 1.7 kV 3 A 混合 发射体 开关 双极晶体管 TO-247
ST Microelectronics（意法半导体）
混合发射极开关双极晶体管ESBT 1700V - 3A - 0.55OHM Hybrid emitter switched bipolar transistor ESBT 1700V - 3A - 0.55OHM
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ESBT 晶体管，STMicroelectronics发射器开关双极晶体管 (ESBT) 是混合双极 MOSFET 设备，可提供快速高电压切换。低等效接通电阻 超快切换 高电压，高达 2200V 应用：基于三相电源的单开关 SMPSU ### 双极晶体管，STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。
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混合发射极开关双极晶体管ESBT 1700 V - 3 A - 0.55欧姆 HYBRID EMITTER SWITCHED BIPOLAR TRANSISTOR ESBT 1700 V - 3 A - 0.55 Ohm
ST Microelectronics（意法半导体）
混合发射极开关双极晶体管ESBT 1500 V - 3 A - 0.55欧姆 HYBRID EMITTER SWITCHED BIPOLAR TRANSISTOR ESBT 1500 V - 3 A - 0.55 ohm
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混合发射极开关双极晶体管ESBT 2200 V - 3 A - 0.33 з Hybrid emitter switched bipolar transistor ESBT 2200 V - 3 A - 0.33 з
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