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STD10PF06-1
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STD10PF06-1 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-251-3
描述:P沟道60V - 0.18欧姆 - 10A IPAK / DPAK的STripFET II功率MOSFET P-CHANNEL 60V - 0.18 Ohm - 10A IPAK/DPAK STripFET II POWER MOSFET
PDF文件:STD10PF06-1 数据手册 (9 页)原理图在1 页
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STD10PF06-1 数据手册 (9 页)
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STD10PF06-1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-60.0 V
额定电流-10.0 A
封装TO-251-3
漏源极电阻180 mΩ
极性P-Channel
功耗40 W
漏源极电压(Vds)60 V
漏源击穿电压60.0 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)10.0 A
上升时间40 ns
输入电容值(Ciss)850pF @25V(Vds)
额定功率(Max)40 W
下降时间10 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)40W (Tc)
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STD10PF06-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
工作温度175℃ (TJ)
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STD10PF06-1 数据手册

STD10PF06-1 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
9 页 / 0.28 MByte
STD10PF06-1 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
9 页 / 0.55 MByte

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