类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -60.0 V |
额定电流 | -10.0 A |
封装 | TO-252-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.18 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 40 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
漏源击穿电压 | 60 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 10.0 A |
上升时间 | 40 ns |
输入电容值(Ciss) | 850pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 40 W |
下降时间 | 10 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | 65 ℃ |
耗散功率(Max) | 40W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.6 mm |
宽度 | 6.2 mm |
高度 | 2.4 mm |
工作温度 | 175℃ (TJ) |
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P - 通道60V - 0.18欧姆 - 10A TO- 252的STripFET功率MOSFET P - CHANNEL 60V - 0.18 ohm - 10A TO-252 STripFET POWER MOSFET
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STMICROELECTRONICS STD10PF06T4 晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
P沟道60V - 0.18欧姆 - 10A IPAK / DPAK的STripFET II功率MOSFET P-CHANNEL 60V - 0.18 Ohm - 10A IPAK/DPAK STripFET II POWER MOSFET
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