| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 12.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.08 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 30 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 输入电容 | 350 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±16.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 12.0 A |
| 上升时间 | 35 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 350pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 30 W |
| 下降时间 | 13 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 42.8W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.6 mm |
| 宽度 | 6.2 mm |
| 高度 | 2.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
●### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
14 页 / 0.3 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
53 页 / 1.46 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
17 页 / 0.8 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
16 页 / 0.82 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
5 页 / 0.04 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
1 页 / 0.13 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道60V - 0.08欧姆 - 12A IPAK / DPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.08 ohm - 12A IPAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD12NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD12NF06T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.08 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道60V - 0.08ヘ - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.08з - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道60V - 0.08ヘ - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.08ヘ - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD12NF06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 2 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道60 V ， 0.08Ω ， 12 A， DPAK ， IPAK的STripFET ？二功率MOSFET N-channel 60 V, 0.08Ω, 12 A, DPAK, IPAK STripFET? II Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
