类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 310 mΩ |
功耗 | 110 W |
阈值电压 | 3 V |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
漏源击穿电压 | 600 V |
上升时间 | 4.8 ns |
输入电容值(Ciss) | 730pF @100V(Vds) |
下降时间 | 10.6 ns |
下降时间(Max) | 10.6 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
耗散功率(Max) | 110W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 11A(Tc) 110W(Tc) DPAK
ST Microelectronics(意法半导体)
17 页 / 0.64 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
60 页 / 4.35 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
9 页 / 0.38 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.75 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
27 页 / 0.85 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
16 页 / 0.79 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源(LLC 转换器)。 其配置具有低栅极电荷,以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N-沟道 600 V 0.365 Ohm 表面贴装 MDmesh™ DM2 功率 Mosfet - DPAK-3
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件