类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.28 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 90 W |
阈值电压 | 3 V |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
连续漏极电流(Ids) | 5.50 A |
上升时间 | 8 ns |
输入电容值(Ciss) | 790pF @50V(Vds) |
额定功率(Max) | 90 W |
下降时间 | 10 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 90W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.6 mm |
宽度 | 6.2 mm |
高度 | 2.4 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
30 页 / 1.38 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
10 页 / 0.47 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
24 页 / 1.12 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.04 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD13NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件