类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252-3 |
漏源极电阻 | 0.0028 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 110 W |
阈值电压 | 2.5 V |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
上升时间 | 18 ns |
输入电容值(Ciss) | 3700pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 110 W |
下降时间 | 46 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 110W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.6 mm |
宽度 | 6.2 mm |
高度 | 2.4 mm |
工作温度 | 175℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
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