类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 60 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 70 W |
阈值电压 | 3 V |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
连续漏极电流(Ids) | 23.0 A |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD155N3H6 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.13 ohm, -10 V, -4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道24V- 0.003Ω - 150A - ClipPAK ™ - IPAK的STripFET ™伊犁功率MOSFET N-channel 24V- 0.003Ω - 150A - ClipPAK™ - IPAK STripFET™ IlI Power MOSFET
TE Connectivity(泰科)
TE CONNECTIVITY / RAYCHEM STD15W-1 电缆标识, E 型15 编号1
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