| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 110 W |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 11A |
| 上升时间 | 8.2 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 718pF @100V(Vds) |
| 下降时间 | 11.3 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 110W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
17 页 / 0.91 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD16N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 650 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
