| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 17.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.05 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 30 W |
| 阈值电压 | 1.5 V |
| 输入电容 | 320 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±16.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 17.0 A |
| 上升时间 | 100 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 320pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 30 W |
| 下降时间 | 22 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 30W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.6 mm |
| 宽度 | 6.2 mm |
| 高度 | 2.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 3.6A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.020Ω/Ohm @1.6A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 75W Description & Applications| TYPICAL RDS(on) = 0.015 Ω TYPICAL Qg = 18 nC @ 10V OPTIMAL RDS(on) x Qg TRADE-OFF CONDUCTION LOSSES REDUCED SWITCHING LOSSES REDUCED 描述与应用| 典型的RDS（on）= 0.015Ω 典型的Qg=18 NC@ 10V 最优的RDS（on）×QG权衡 减少传导损耗 减少开关损耗
ST Microelectronics（意法半导体）
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N沟道30V - 0.038ohm - 17A - DPAK / IPAK STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.038ohm - 17A - DPAK/IPAK STripFET⑩ POWER MOSFET
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N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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N沟道30V - 0.038ohm - 17A - DPAK / IPAK的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.038ohm - 17A - DPAK/IPAK STripFET TM II Power MOSFET
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N沟道30V - 0.038ohm - 17A - DPAK / IPAK STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.038ohm - 17A - DPAK/IPAK STripFET⑩ POWER MOSFET
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N沟道30V - 0.038ohm - 17A - DPAK / IPAK的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.038ohm - 17A - DPAK/IPAK STripFET TM II Power MOSFET
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