STD18N65M5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-252-3
描述:	N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
PDF文件:	STD18N65M5 数据手册 (19 页)封装尺寸在16 页
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

STD18N65M5 数据手册 (19 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STD18N65M5 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
封装	TO-252-3
针脚数	3 Position
漏源极电阻	0.198 Ω
功耗	110 W
阈值电压	4 V
输入电容	1240 pF
漏源极电压(Vds)	650 V
上升时间	7 ns
输入电容值(Ciss)	1240pF @100V(Vds)
额定功率(Max)	110 W
下降时间	9 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	110W (Tc)

查看数据手册 >

STD18N65M5 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	6.6 mm
宽度	6.2 mm
高度	2.4 mm
工作温度	150℃ (TJ)

查看数据手册 >

STD18N65M5 符合标准

STD18N65M5 概述

STD18N65M5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 0.97 MByte

STD18N65M5 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

23 页 / 0.8 MByte

STD18N65 数据手册

STD18N65M5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

器件 Datasheet 文档搜索

数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号