类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 60.0 V |
额定电流 | 24.0 A |
封装 | TO-252-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.032 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 60 W |
阈值电压 | 2.5 V |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
漏源击穿电压 | 60.0 V |
栅源击穿电压 | ±18.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 24.0 A |
上升时间 | 50 ns |
输入电容值(Ciss) | 660pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 60 W |
下降时间 | 12 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 60W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.6 mm |
宽度 | 6.2 mm |
高度 | 2.4 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
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N沟道60V - 0.032OHM - 24A DPAK封装的STripFET TM II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.032OHM - 24A DPAK STripFET TM II POWER MOSFET
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STMICROELECTRONICS STD20NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD20NF06T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 60 V, 32 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.032OHM - 24A - DPAK - IPAK的STripFET II功率MOSFET N-channel 60V - 0.032OHM - 24A - DPAK - IPAK STripFET II Power MOSFET
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N沟道60V - 0.032OHM - 24A - DPAK - IPAK的STripFET II功率MOSFET N-channel 60V - 0.032OHM - 24A - DPAK - IPAK STripFET II Power MOSFET
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