| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 24.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 额定功率 | 60 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.032 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 60 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 24.0 A |
| 上升时间 | 30 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 690pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 60 W |
| 下降时间 | 8 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 60W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.6 mm |
| 宽度 | 6.2 mm |
| 高度 | 2.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道60V - 0.032OHM - 24A DPAK封装的STripFET TM II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.032OHM - 24A DPAK STripFET TM II POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD20NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD20NF06T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 60 V, 32 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道60V - 0.032OHM - 24A - DPAK - IPAK的STripFET II功率MOSFET N-channel 60V - 0.032OHM - 24A - DPAK - IPAK STripFET II Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道60V - 0.032OHM - 24A - DPAK - IPAK的STripFET II功率MOSFET N-channel 60V - 0.032OHM - 24A - DPAK - IPAK STripFET II Power MOSFET
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