STD25NF10L 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-252
描述:	N沟道100V - 0.030欧姆 - 25A DPAK低栅电荷STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.030 ohm - 25A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
PDF文件:	STD25NF10L 数据手册 (9 页)
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STD25NF10L 技术参数、封装参数

类型	描述
产品生命周期	Unknown
包装方式	Tube, Rail

ST Microelectronics（意法半导体）

9 页 / 0.55 MByte

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道100V - 0.033ohm - 25A DPAK低栅电荷STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.033ohm - 25A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STD25NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 100 V, 33 mohm, 10 V, 3 V

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STD25NF10LA 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 100 V, 30 mohm, 10 V, 2.5 V

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道100V - 0.030欧姆 - 25A DPAK低栅电荷STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.030 ohm - 25A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET

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