| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.03 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 100 W |
| 阈值电压 | 2.5 V |
| 输入电容 | 1710 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 上升时间 | 40 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1710pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 20 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 100W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.6 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
STD25NF10LA是一款STripFET™II N沟道功率MOSFET, 设计用于降低输入电容和栅极电荷. 该器件适合用作高效隔离式DC-DC转换器中的主开关, 适用于电信和计算机应用, 以及需要低栅极电荷驱动的应用.
● 出色的dv/dt能力
● 100％经过雪崩测试
● 逻辑电平设备
● 工作结温范围-55至175°C
ST Microelectronics（意法半导体）
15 页 / 0.63 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
26 页 / 1.84 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
16 页 / 0.62 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
8 页 / 0.21 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道100V - 0.033ohm - 25A DPAK低栅电荷STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.033ohm - 25A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD25NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 100 V, 33 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD25NF10LA 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 100 V, 30 mohm, 10 V, 2.5 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道100V - 0.030欧姆 - 25A DPAK低栅电荷STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.030 ohm - 25A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
