类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.1 Ω |
功耗 | 110 W |
阈值电压 | 3 V |
输入电容 | 940 pF |
漏源极电压(Vds) | 200 V |
上升时间 | 30 ns |
输入电容值(Ciss) | 940pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 110 W |
下降时间 | 10 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 110W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.6 mm |
宽度 | 6.2 mm |
高度 | 2.4 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
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N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD25NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 100 V, 33 mohm, 10 V, 3 V
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD25NF10LA 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 100 V, 30 mohm, 10 V, 2.5 V
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N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道100V - 0.030欧姆 - 25A DPAK低栅电荷STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.030 ohm - 25A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
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