类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-251-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 5 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 70 W |
阈值电压 | 3.75 V |
漏源极电压(Vds) | 900 V |
连续漏极电流(Ids) | 1.05 A |
上升时间 | 11 ns |
输入电容值(Ciss) | 485pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 70 W |
下降时间 | 40 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 70W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 6.6 mm |
宽度 | 2.4 mm |
高度 | 6.2 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道900V - 5Ω - 2.1A - TO- 220 / DPAK / IPAK齐纳保护的超网? MOSFET N-channel 900V - 5Ω - 2.1A - TO-220 /DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET
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